随着Rubin进入量产阶段，英伟达的开发重点逐渐转向下一代Rubin Ultra。与Rubin采用2-Die架构不同，英伟达打算在Rubin Ultra上采用4-Die架构，单个封装内的HBM模块也将从8个增至16个，采用台积电的CoWoS-L封装。然而过去几个月里，传出了不少Rubin Ultra的负面消息，比如封装遇到了变形问题影响良品率，英伟达可能会寻找替代方案。英伟达很快将面临另外一个现实问题，DRAM供不应求的局面将延续到2027年。

据TrendForce报道，考虑到当下DRAM的供应情况，加上HBM4E的验证进度存在变量，英伟达从今年第三季度起对Rubin Ultra的HBM配置进行了更改。除了原有的12层堆叠HBM4E外，还并行评估8层堆叠HBM4E、12层堆叠HBM4、8层堆叠HBM4等方案，暂时还没有做最后决定。其实大家所遇到的困境是一样的，部分云端服务供应商也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

最近存储供应问题已经导致业界出现了多次规格调整。英伟达考虑到LPDDR5X的供应短缺持续，已经决定将Vera Rubin Superchip所搭载的SOCAMM容量减半。另外2026年上半年以来，还有众多厂商将服务器陆续下调RDIMM容量。

目前HBM4E的验证和量产仍然存在不确定性，瓶颈除了产能和良品率，还有速率是否能达到14-16Gbps，有可能限制在11-12Gbps。